据科技网站elchapuzas报道，投行摩根斯坦利日前走访半导体设备供应商，得知台积电即将完成其改进版3纳米工艺N3E的开发，最早将于本月底实现工艺规范冻结，基于N3E工艺的产品大规模量产或将在2023年第二季度实现，较此前规划提早一个季度。
其他信息还包括：N3E工艺试产良率远高于N3B，在减少4层EUV掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的N3工艺下降8%，较5纳米节点仍有60%的提升。
据科技网站elchapuzas报道，投行摩根斯坦利日前走访半导体设备供应商，得知台积电即将完成其改进版3纳米工艺N3E的开发，最早将于本月底实现工艺规范冻结，基于N3E工艺的产品大规模量产或将在2023年第二季度实现，较此前规划提早一个季度。其他信息还包括：N3E工艺试产良率远高于N3B，在减少4层EUV掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的N3工艺下降8%，较5纳米节点仍有60%的提升。
据科技网站elchapuzas报道，投行摩根斯坦利日前走访半导体设备供应商，得知台积电即将完成其改进版3纳米工艺N3E的开发，最早将于本月底实现工艺规范冻结，基于N3E工艺的产品大规模量产或将在2023年第二季度实现，较此前规划提早一个季度。
其他信息还包括：N3E工艺试产良率远高于N3B，在减少4层EUV掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的N3工艺下降8%，较5纳米节点仍有60%的提升。
